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光子芯片放大器技术革命:EPFL与IBM突破性成果重塑光通信格局

浏览: 时间:2025-04-01
【深圳开腾通讯 行业观察】2025年4月1日 —— 瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)与IBM研究院联合发布全球首款基于磷化镓-二氧化硅异质集成平台的光子芯片放大器,在140 nm超宽光谱范围内实现35 dB增益与4 dB超低噪声,性能全面超越传统掺铒光纤放大器(EDFA)。这一突破为下一代光通信、光子AI计算及自动驾驶技术注入全新动能。

深圳开腾通讯 行业观察】2025年4月1日 —— 瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)与IBM研究院联合发布全球首款基于磷化镓-二氧化硅异质集成平台的光子芯片放大器,在140 nm超宽光谱范围内实现35 dB增益4 dB超低噪声,性能全面超越传统掺铒光纤放大器(EDFA)。这一突破为下一代光通信、光子AI计算及自动驾驶技术注入全新动能。


技术突破:光子芯片放大器的三大革新

1️⃣ 超宽带性能
传统EDFA仅支持C波段(约35 nm带宽),而新型行波参量放大器(TWPA)将工作带宽扩展至140 nm,覆盖O至L波段,为多波长并行传输提供可能。实验数据显示,其净增益达10 dB,是EDFA的三倍。

2️⃣ 芯片级集成

采用磷化镓(GaP)材料与硅光子平台兼容的GaP-on-SiO₂结构,将放大器尺寸压缩至厘米级光子芯片,功耗降低40%。其高折射率特性使光信号约束效率提升3倍,支持输入功率跨越六个数量级的稳定放大

3️⃣ 低噪声极限
通过优化光学非线性相互作用路径,噪声系数降至4 dB以下,可放大微弱至-30 dBm的信号,为量子通信与精密传感奠定硬件基础

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磷化镓(GaP)材料的核心优势

  • 超强光学非线性:无需稀土掺杂即可实现高效光波能量转移,降低制备复杂度

  • 高折射率约束:波导长度缩短至传统材料的1/5,提升片上集成度

  • 工艺兼容性:与现有硅光子流片工艺无缝对接,支持多材料平台PDK开发,加速商用化进程

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从实验室到产业:四大应用场景重构

1️⃣ 数据中心与AI加速器
光子芯片放大器可减少光模块中继节点,使AI训练集群的数据传输延迟降低22%,配合智能光链路优化工具实现算力效率倍增。

2️⃣ 光频梳与量子通信
作为高精度频率基准,其低噪声特性可将量子密钥分发(QKD)系统的误码率压缩至1E-9以下,与光子集成电路设计软件协同优化量子光源稳定性。

3️⃣ 自动驾驶LiDAR
在复杂光照环境下,放大器的高动态范围使LiDAR探测距离突破500米,分辨率提升至厘米级,推动车规级光传感方案落地。

4️⃣ 海底光缆与6G前传
超宽带特性支持单纤传输容量突破1 Pbps,结合高速光互连仿真工具实现跨洋链路能耗降低35%。


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